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UV剝離膠帶 SELFA™

憑借高耐熱性及特殊剝離技術(shù)來
實(shí)現(xiàn)嶄新的半導(dǎo)體工藝「SELFA™」

什么是SELFA™?

SELFA™是一種優(yōu)秀的膠帶，具有高粘合性，并且可以輕松剝離。通過UV照射，膠帶與被粘體之間會(huì)產(chǎn)生氣體，使粘合力降為零，可輕松剝離。

Point!

研磨得很薄的晶圓等也可以進(jìn)行無損加工。

SELFA™

在什么時(shí)候使用SELFA™?

主要在半導(dǎo)體晶圓加工、芯片制造等過程中會(huì)用到SELFA™。目前，我們有三種型號(hào)，分別適用于封裝、晶圓支撐、電鍍等各種工藝。

Point!

根據(jù)具體用途，有單面、雙面兩種形態(tài)以供選擇。

SELFA™陣容
【SEKISUI】半導(dǎo)體制程臨時(shí)鍵合UV膠帶「SELFA™」

SELFA™核心技術(shù)

我在找高耐熱的臨時(shí)鍵合材料

箭
耐熱性

耐熱性

  • 業(yè)界壓倒性的260°C耐熱性能
  • 適用于回流焊等工藝

擔(dān)心對(duì)晶圓產(chǎn)生損傷

箭
輕剝離

輕剝離

  • 通過產(chǎn)生氣體實(shí)現(xiàn)無損剝離
  • 適用于超薄元件

我想消除熱工序中的殘?jiān)?/p> 箭

低殘膠

低殘膠

  • 以Pre UV技術(shù)實(shí)現(xiàn)無殘?jiān)鼊冸x
  • 更靈活的工藝條件

SELFA™剝離技術(shù)

SELFA™剝離演示視頻

敬請(qǐng)觀賞其他公司所沒有的，可從纖細(xì)的晶圓表面實(shí)現(xiàn)輕松剝離的先進(jìn)技術(shù)展示。

分段式UV照射

1Pre UV固化
Pre UV固化

傳統(tǒng)的UV膠帶在熱工序中粘合強(qiáng)度會(huì)上升，并且在照射UV后也不會(huì)下降太多，導(dǎo)致其不易剝離，且多會(huì)存在殘?jiān)鼏栴}。

而SELFA™是先照射Pre UV使膠層固化，粘合強(qiáng)度顯著降低，并且在之后的熱工序中粘合力的上升幅度也非常小，因而更容易剝離，且大幅度減少了殘?jiān)鼏栴}。

2產(chǎn)生氣體
產(chǎn)生氣體

在照射Post UV的過程中，SELFA™和玻璃載體之間會(huì)產(chǎn)生氮?dú)?。所產(chǎn)生氣體的面積會(huì)不斷擴(kuò)大，最終擴(kuò)散到整面晶圓范圍。

經(jīng)過Post UV照射后，只需微乎其微的力量便可輕松地將玻璃載體分離開來。

SELFA™與液體材料的工藝對(duì)比

通過使用SELFA™，可以大幅度縮短貼合、剝離等工序的所需時(shí)間。

工藝

SELFA™

SELFA™：貼合
SELFA™：鍵合
SELFA™：解鍵合
SELFA™：剝離

產(chǎn)品的研發(fā)故事SEKISUIProduct Development Story

通過“粘接與剝離”的創(chuàng)新技術(shù)
持續(xù)支持半導(dǎo)體工藝發(fā)展的SELFA™

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高機(jī)能塑料事業(yè)領(lǐng)域開發(fā)研究所 前所長(zhǎng)
（2019年退休）
Science Lab. Ishizue現(xiàn)任代表

中壽賀 章

高機(jī)能塑料事業(yè)領(lǐng)域
開發(fā)研究所
電子材料開發(fā)中心
主任技術(shù)員

高橋 俊夫

SELFA™產(chǎn)品陣容

雙面耐熱
SELFA™ HW系列

BG ~ Dicing工藝

雙面耐熱 SELFA™ HW
  • 優(yōu)良的耐熱性，耐藥性
  • 通過產(chǎn)生氣體實(shí)現(xiàn)無損傷剝離
  • 干膜式的臨時(shí)鍵合使操作更加安全穩(wěn)定
產(chǎn)品細(xì)節(jié)

單面耐熱
SELFA™ HS系列

化學(xué)工序中保護(hù)元件
熱工序中抑制翹曲

單面耐熱 SELFA™ HS
  • 優(yōu)良的耐熱性，耐藥性
  • 同時(shí)兼?zhèn)鋸?qiáng)粘著+低殘膠兩種性能
產(chǎn)品細(xì)節(jié)

單面自剝離
SELFA™ MP系列

電鍍工序中保護(hù)元件

單面自剝離 SELFA™ MP
  • UV照射后粘著劑自行產(chǎn)出氮?dú)馐拐沉ο陆?，可在晶圓不受外力的情況下實(shí)現(xiàn)自行剝離。
產(chǎn)品細(xì)節(jié)

SELFA™性能對(duì)照表

產(chǎn)品/條件 雙面耐熱 SELFA™ HW系列 單面耐熱 SELFA™ HS系列 單面自剝離 SELFA™ MP系列
耐熱性 260°C / Reflow 250°C / Reflow 80°C / 30min.
220°C / 2hr 220°C / 2hr
粘合強(qiáng)度 (N/英寸)
Pre UV前 → 后 		晶圓面 SUS: 10.5 → 0.01 SUS: 3.83 → 0.08 SUS: 17.5 → 0
Si: 0.08 → 0.02 Si: 0.06 → 0.02 Si: 16.1 → 0
- Cu: 4.51 → 0.10 Au: 13.5 → 0
玻璃面 Glass: 0.06 → <0.01 - -

使用案例和應(yīng)用

CMOS圖像傳感器

CMOS圖像傳感器

  • 雙面耐熱
    SELFA™ HW
層疊型記憶體

層疊型記憶體

  • 雙面耐熱
    SELFA™ HW
  • 單面耐熱
    SELFA™ HS
通信模塊

通信模塊

  • 單面耐熱
    SELFA™ HS
應(yīng)用處理器

應(yīng)用處理器（FOWLP）

  • 雙面耐熱
    SELFA™ HW
  • 單面耐熱
    SELFA™ HS
內(nèi)置元件基板

內(nèi)置元件基板

  • 雙面耐熱
    SELFA™ HW
  • 單面耐熱
    SELFA™ HS
  • 單面自剝離
    SELFA™ MP
功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體

  • 單面自剝離
    SELFA™ MP

雙面耐熱 SELFA™ HW系列

特征：

  • 耐熱性
  • 耐藥性
  • 低殘膠
  • 輕剝離

實(shí)現(xiàn)干膜式的干法臨時(shí)鍵合工藝，提升生產(chǎn)性

雙面耐熱 SELFA™ HW

工藝

  • 貼膜
    貼膜
  • 鍵合
    鍵合
  • UV照射
    UV照射
  • 研磨
    研磨
  • 熱工序
    熱工序
  • 轉(zhuǎn)貼DC膠帶
    轉(zhuǎn)貼DC膠帶
  • UV照射/DB
    UV照射/DB
  • 膠帶剝離
    膠帶剝離

測(cè)試結(jié)果

Ⅰ．鏡面晶圓BG后的TTV測(cè)試

測(cè)試方法
  • 測(cè)試方法_1
  • 測(cè)試方法_2
  • 測(cè)試方法_3
TTV分布

【平均】 厚度:24.4μm/TTV:2.9μm

n=1 n=2 n=3 n=4 n=5
TTV分布 n=1 TTV分布 n=2 TTV分布 n=3 TTV分布 n=4 TTV分布 n=5
Thk:25.1μm
TTV:3.4μm		 Thk:24.5μm
TTV:2.8μm		 Thk:24.7μm
TTV:2.9μm		 Thk:24.3μm
TTV:2.7μm		 Thk:23.4μm
TTV:2.9μm
  • 通過本公司獨(dú)有的“Pre UV技術(shù)”提供業(yè)界最高水準(zhǔn)的TTV控制性能。
  • <3μm@12” 晶圓

Ⅱ．熱工序后的殘?jiān)鼫y(cè)試＜烤箱剝離測(cè)試＞

要點(diǎn):

  • 耐熱性
設(shè)備和條件
  • 制造商: ETAC
  • 型號(hào): CSO-603BF
  • 溫度: 180-220°C
  • 時(shí)長(zhǎng): 1~2小時(shí)
設(shè)備和條件
晶圓樣本
  • 晶圓樣本
  • TEG晶圓樣品

8inch Bump TEG Wafer

晶圓樣本
結(jié)果
180°C 200°C 220°C
1小時(shí) TEG晶圓熱處理后的殘?jiān)u(píng)估。180°C1小時(shí) TEG晶圓熱處理后的殘?jiān)u(píng)估。200°C1小時(shí) TEG晶圓熱處理后的殘?jiān)u(píng)估。220°C1小時(shí)
2小時(shí) TEG晶圓熱處理后的殘?jiān)u(píng)估。180°C2小時(shí) TEG晶圓熱處理后的殘?jiān)u(píng)估。200°C2小時(shí) TEG晶圓熱處理后的殘?jiān)u(píng)估。220°C2小時(shí)

在220°C下加熱2小時(shí)并剝離后，TEG晶圓上未發(fā)現(xiàn)殘留物。

單面耐熱 SELFA™ HS系列

特征：

  • 耐熱性
  • 耐藥性
  • 低殘膠

在回流、CVD 和濺射等熱處理過程中支撐和保護(hù)器件。

單面耐熱 SELFA™ HS

工藝

  • 貼合
    貼合
  • UV照射
    UV照射
  • 研磨
    研磨
  • 運(yùn)輸
    運(yùn)輸
  • 熱工序
    熱工序
  • 剝離
    剝離

耐熱性測(cè)試 (氣泡)

加熱板測(cè)試

樣本
加熱板測(cè)試：樣本
設(shè)備?條件
加熱板測(cè)試：設(shè)備?條件
  • 制造商: NINOS
  • 型號(hào): ND-3H
  • 溫度: 180-250°C
  • 時(shí)長(zhǎng): 30-180分鐘

測(cè)試結(jié)果

加熱相應(yīng)時(shí)間后的剝離性能
30分鐘 60分鐘 120分鐘 180分鐘
180°C OK OK OK OK
220°C OK OK OK OK
250°C OK OK OK OK
  • 以上數(shù)據(jù)為實(shí)測(cè)值，非保證值。
加熱后的粘合強(qiáng)度
加熱板測(cè)試：加熱后的粘合強(qiáng)度
加熱后的晶圓狀態(tài)
加熱后的晶圓狀態(tài)

加熱板測(cè)試結(jié)果證實(shí)，在熱工序中并沒有出現(xiàn)氣泡，并且在220°C/180分鐘后的剝離過程中沒有殘留物產(chǎn)生。

單面自剝離SELFA™ MP系列

特征：

  • 輕剝離

用于在電鍍過程中保護(hù)晶圓背面。UV照射會(huì)使其產(chǎn)生氣體，可輕松從被粘物上剝離。

單面自剝離 SELFA™ MP

無電解電鍍工序中的晶圓保護(hù)技術(shù)(無電解電鍍法)

  • 膠帶貼合
    膠帶貼合
  • 酸、堿電鍍工藝
    酸、堿電鍍工藝
  • UV照射
    UV照射
  • 剝離后
    剝離后

在電鍍過程中具有優(yōu)異的耐強(qiáng)酸、耐強(qiáng)堿性能，保護(hù)晶圓，并可以輕松剝離。

氣泡和殘留物測(cè)試結(jié)果

要點(diǎn)：

  • 輕剝離

鍍Au晶圓

鍍Au晶圓

沒有氣泡，邊緣沒有剝離

有機(jī)殘留物檢測(cè)@8'晶圓

有機(jī)殘留物檢測(cè)@8'晶圓

將SELFA™ MP剝離后，未觀察到殘留物

使用雙面SELFA™實(shí)現(xiàn)工藝自動(dòng)化

使用SELFA™實(shí)現(xiàn)流程自動(dòng)化，保持環(huán)境清潔

在使用SELFA™的過程中，從貼合到剝離可實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)化。為提高生產(chǎn)效率做貢獻(xiàn)。

設(shè)備介紹

晶圓鍵合設(shè)備
①晶圓鍵合設(shè)備
Takatori Corporation
WSM-200B
晶圓解鍵合設(shè)備
晶圓解鍵合設(shè)備
Takatori Corporation
WSR-200

玻璃載體可重復(fù)使用

再利用能力是以往工藝的2倍，更利于SDGs

玻璃載體的再利用

使用SELFA™，玻璃表面不會(huì)發(fā)生凹陷，更利于回收再利用。

SELFA™ 液體
再利用次數(shù) 20次以上 10次以上
解鍵合方法 UV燈
UV激光		 各種激光
再利用方法 主要是溶劑清洗 溶劑清洗、研磨等
UV工序中的玻璃凹痕 無SELFA™UV工序中的玻璃凹痕 有液體：UV工序中的玻璃凹痕
效果 通過SELFA™實(shí)現(xiàn)的載體玻璃再利用效果
整面UV照射，玻璃無損傷		 通過液體實(shí)現(xiàn)的載體玻璃再利用效果
鐳射照射，玻璃表面會(huì)積累傷痕
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（2019年退休）
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