晶片背面減薄(Back Grinding,BG)是半導(dǎo)體制造后工藝中的一道工序，在前工序中將電路圖案形成在晶片表面后，通過(guò)從背面薄薄地磨削晶片的過(guò)程。BG膠帶是這一工序中不可或缺的材料，除了膠帶外，還有蠟和粘合劑等。隨著近年來(lái)半導(dǎo)體工藝的復(fù)雜化，對(duì)BG膠帶的耐熱性和耐化學(xué)性等提出了更高的要求。

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球柵陣列封裝（Ball Grid Array,BGA），是IC晶片封裝方式的一種。因?yàn)樵摲椒ㄊ窃诨宓谋趁姘搓嚵蟹绞街谱鞒銮蛐瓮蛊鹱鳛橐_，引腳不會(huì)超出封裝范圍，非常適合產(chǎn)品小型化。

絕緣增層膜（Build-Up Fill,BU Fill）是在半導(dǎo)體封裝階段，用作連接半導(dǎo)體芯片和主板時(shí)所需要的，可滿足更精細(xì)的布線需求的絕緣性膜材。隨著電子設(shè)備的布線變得更加精細(xì)并且通信變得更快，需要保持較低的傳輸損耗。另外，隨著器件變得更薄，需要材料兼具抑制更薄基板翹曲的功能。

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擋墻填充工藝（Dam-Fill）材料是用于芯片封裝或CSP/BGA的外周等位置形成尖銳擋墻的絕緣材料，其目的在與控制芯片粘合時(shí)的粘合劑流動(dòng)性和控制Underfill材料不會(huì)使其溢出所需范圍。該材料具有優(yōu)異的成型性，是一種實(shí)現(xiàn)降低PKG翹曲的可靠性材料。

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晶圓切割（Dicing）是半導(dǎo)體制造后工序中不可或缺的重要工序。它是將形成了電路的晶圓切割成一個(gè)個(gè)芯片尺寸并進(jìn)行分離的工序。切割方法有刀片法、激光法和等離子法等。雖然刀片法常被使用，但為了減少對(duì)芯片的機(jī)械損傷、應(yīng)對(duì)微小芯片的需求以及考慮到環(huán)境問(wèn)題，有時(shí)會(huì)選擇激光法和等離子法。

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干法刻蝕（dry etching）是通過(guò)生成等離子體的離子和反應(yīng)氣體，物理地或通過(guò)化學(xué)反應(yīng)除去不需要的部分的干式方法。通常，干法蝕刻常指“反應(yīng)性離子蝕刻（RIE）”。干法蝕刻能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的形狀控制，并且無(wú)需廢液處理，因此廣泛應(yīng)用于制造工藝中。

扇出（Fan Out）是指在比硅芯片更大的面積上布線。使用這種技術(shù)的FOWLP（扇出晶圓級(jí)封裝）不是使用傳統(tǒng)的樹(shù)脂基板，而是在芯片周?chē)目臻g通過(guò)重新布線層（RDL，Redistribution Layer）配置多個(gè)I/O端子，能夠在提高布線密度的同時(shí)抑制封裝的厚度，實(shí)現(xiàn)高性能和薄型化。此外，由于其結(jié)構(gòu)，還可以搭載多個(gè)硅芯片。

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倒裝芯片球柵陣列（Flip Chip-Ball Grid Array,FC-BGA）基板是使用稱(chēng)為凸塊的球形端子，將芯片連接到超薄基板上并進(jìn)行封裝的高密度半導(dǎo)體封裝基板，可實(shí)現(xiàn)LSI芯片的高速化和多功能化。它具有告訴處理信息處理的能力和優(yōu)異的散熱性能，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等領(lǐng)域。

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填料(Filler)是為樹(shù)脂等材料賦予各種功能而添加的填充材料。它指的是微小的顆粒或粉末。通過(guò)將具有導(dǎo)熱性或?qū)щ娦缘榷喾N功能的填料復(fù)合到樹(shù)脂中，形成填料復(fù)合材料，廣泛應(yīng)用于從智能手機(jī)到飛機(jī)的各種領(lǐng)域。

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助焊劑（Flux）是一種用于半導(dǎo)體制造中焊接工藝的化學(xué)品。它用于去除金屬表面的氧化物和雜質(zhì)，并改善焊接的潤(rùn)濕性。隨著近年來(lái)對(duì)精簡(jiǎn)工藝的需求不斷增加，對(duì)高性能助焊劑的關(guān)注也在上升。

柔性印刷電路板（Flixible Printed Circuits，F(xiàn)PC）是在聚酰亞胺等基底膜上粘貼銅箔等導(dǎo)電金屬并形成電路的基板，通常稱(chēng)為“柔性印刷電路板”。與剛性基板的硬板狀不同，它非常薄且重量輕，具有出色的柔韌性，可彎曲，因此可以安裝在電子設(shè)備內(nèi)部的彎曲部位、立體布局和狹窄的空間中。隨著小型化、輕量化、薄型化的發(fā)展，它已被廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、液晶電視等各類(lèi)電子設(shè)備中。

GWSS（Glass Wafer Support System）是積水化學(xué)公司提出的一種臨時(shí)固定材料（Temporary Bonding De-Bonding material, TBDB material），旨在解決極薄化半導(dǎo)體在搬運(yùn)時(shí)破裂或破損、極薄晶圓的翹曲等問(wèn)題。積水化學(xué)使用獨(dú)自開(kāi)發(fā)的UV照射自剝離型膠帶“SELFA™”來(lái)實(shí)現(xiàn)了GWSS。為滿足最尖端半導(dǎo)體的臨時(shí)固定需求，積水化學(xué)持續(xù)研發(fā)以提高膠帶的耐熱性和耐化學(xué)性能，

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高帶寬內(nèi)存（High Bandwidth Memory, HBM）高帶寬內(nèi)存是一種由JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化的內(nèi)存規(guī)范，基于硅通孔（TSV）技術(shù)的裸片堆疊。與用于計(jì)算機(jī)的傳統(tǒng)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）相比，它能夠處理一次大量的數(shù)據(jù)。它利用比傳統(tǒng)DRAM快10到100倍的數(shù)據(jù)傳輸速度，應(yīng)用于GPU（圖形處理單元）、HPC（高性能計(jì)算）和AI（人工智能）等領(lǐng)域。

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模塑（Molding）是使用熱固性樹(shù)脂等材料，在粘合工序后的芯片上進(jìn)行包埋，以保護(hù)其免受外部沖擊、溫度變化、濕氣等影響的半導(dǎo)體工序。模塑工藝包括將樹(shù)脂注入并流入模具的傳遞模塑和將融化的樹(shù)脂浸入模具成型的壓縮模塑。

PoP（Package on Package）是一種在半導(dǎo)體封裝之上堆疊另一個(gè)半導(dǎo)體封裝的裝配方法。通過(guò)堆疊半導(dǎo)體封裝，可以最大化利用有限的空間，成為實(shí)現(xiàn)高功能化和小型薄型化的技術(shù)。由于可以將需要數(shù)據(jù)交換的封裝靠近，因此可以進(jìn)一步提高速度，這項(xiàng)技術(shù)在近年來(lái)迅速發(fā)展，主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中。

導(dǎo)熱界面材料（Thermal Interface Material,TIM）是一種熱導(dǎo)材料，能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備產(chǎn)生的熱量高效傳遞至冷卻設(shè)備。這使得半導(dǎo)體設(shè)備的熱管理成為可能，從而維持其性能和可靠性。

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TSV（硅通孔）是指在硅中介層或半導(dǎo)體芯片中形成的貫穿電極，填充銅后成為電極。通過(guò)具有TSV結(jié)構(gòu)，可以堆疊芯片，實(shí)現(xiàn)通過(guò)最小化安裝面積和布線的小型化、高性能化和省電化。

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底部填充樹(shù)脂（Underfill）是用于封裝集成電路的液態(tài)熱固性樹(shù)脂。它是一種粘合劑，用于保護(hù)電子基板和電子元件的連接部分，如焊接點(diǎn)不受沖擊和熱量影響。要求具有耐沖擊性和返工性等性能。

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晶圓(Wafer)是制造半導(dǎo)體器件的材料。它是通過(guò)高度控制成分的單晶硅材料制成的圓柱形錠子，并切割成薄片的圓盤(pán)形板。